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電気・電子情報工学専攻博士後期課程3年の土山和晃さんが、講演奨励賞を受賞しました。

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電気・電子情報工学専攻博士後期課程3年の土山和晃さんが、講演奨励賞を受賞しました。

2016年05月25日

電気・電子情報工学専攻博士後期課程3年の土山和晃さんが、講演奨励賞を受賞しました。

本賞は応用物理学の発展に貢献しうる優秀な一般講演論文を発表した若手会員に対し授与されるものです。

主催者:公益社団法人 応用物理学会

受賞名:講演奨励賞

論文名:Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積

受賞者:電気・電子情報工学専攻博士後期課程3年 土山和晃